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GermanyRFD3N08LSM9A
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
RFD3N08LSM9A
DESCRIZIONE
N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 80 V 3A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
PRODUTTORE
Harris Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
833
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
125 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252 (DPAK)
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
HARHARRFD3N08LSM9A
2156-RFD3N08LSM9A
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation RFD3N08LSM9A
Documenti e supporti
Datasheets
1(RFD3055LESM9A)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 833
Prezzo unitario: $0.36
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 833
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 833
Sostituti
-