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GermanyAUIRF1405ZL
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
AUIRF1405ZL
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 55V 150A TO262
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 55 V 150A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4780 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
230W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP001516578
2156-AUIRF1405ZL
INFINFAUIRF1405ZL
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies AUIRF1405ZL
Documenti e supporti
Datasheets
1(AUIRF1405ZL Datasheet)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(AUIRF1405ZL Datasheet)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IPI80N06S405AKSA2
Produttore. : Rochester Electronics, LLC
Quantità disponibile. : 12,500
Prezzo unitario. : $1.08000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 12,500
Prezzo unitario. : $1.08000
Tipo sostitutivo. : Similar