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GermanySI7476DP-T1-GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SI7476DP-T1-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 40 V 15A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
177 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.9W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SI7476
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI7476DP-T1-GE3
Documenti e supporti
Datasheets
1(SI7476DP)
HTML Datasheet
1(SI7476DP)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SIR418DP-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 22,690
Prezzo unitario. : $1.30000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 22,690
Prezzo unitario. : $1.30000
Tipo sostitutivo. : Direct