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GermanyIRLH5030TR2PBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRLH5030TR2PBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 13A (Ta), 100A (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
400
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5185 pF @ 50 V
FET Feature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PQFN (5x6) Single Die
Package / Case
8-PowerVDFN
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
IRLH5030TR2PBFTR
SP001567260
IRLH5030TR2PBFCT
IRLH5030TR2PBFDKR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRLH5030TR2PBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRLH5030PBF)
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1(IRLH5030PBF)
Quantità Prezzo
-
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