Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
GB05SLT12-252
DESCRIZIONE
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Diode 1200 V 5A Surface Mount TO-252
PRODUTTORE
GeneSiC Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,500

Specifiche tecniche

Mfr
GeneSiC Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Technology
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1200 V
Current - Average Rectified (Io)
5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.8 V @ 2 A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
50 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F
260pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
TO-252
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C
Base Product Number
GB05SLT12

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

Altri nomi

GB05SLT12252
1242-1129

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-252

Documenti e supporti

Datasheets
1(GB05SLT12-252)
Featured Product
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(OBS 14/Jun/2023)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : GD10MPS12E
Produttore. : GeneSiC Semiconductor
Quantità disponibile. : 2,968
Prezzo unitario. : $3.58000
Tipo sostitutivo. : MFR Recommended
Parte n. : STPSC6H12B-TR1
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 7,763
Prezzo unitario. : $3.46000
Tipo sostitutivo. : Similar