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GermanyBSC0803LSATMA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSC0803LSATMA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 10A/44A TDSON-6
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 10A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
BSC0803LSATMA1 Models
PACCHETTO STANDARD
5,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™ 5
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Ta), 44A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.6mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 23µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 52W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
Package / Case
8-PowerTDFN
Base Product Number
BSC0803
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
448-BSC0803LSATMA1DKR
448-BSC0803LSATMA1CT
448-BSC0803LSATMA1TR
SP001614084
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSC0803LSATMA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(BSC0803LS)
PCN Design/Specification
1(Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022)
PCN Assembly/Origin
1(Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022)
EDA Models
1(BSC0803LSATMA1 Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : ISC0803NLSATMA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 2,433
Prezzo unitario. : $1.24000
Tipo sostitutivo. : MFR Recommended
Quantità disponibile. : 2,433
Prezzo unitario. : $1.24000
Tipo sostitutivo. : MFR Recommended