Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NP80N03MLE-S18-AY
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
151

Specifiche tecniche

Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta), 120W (Tc)
Operating Temperature
175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

RENRNSNP80N03MLE-S18-AY
2156-NP80N03MLE-S18-AY-RE

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation NP80N03MLE-S18-AY

Documenti e supporti

Datasheets
1(NP80N03MLE-S18-AY)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 151
Prezzo unitario: $2
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 151

Sostituti

-