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Spain
Rusia
China
GermanyUF3SC120016K4S
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
UF3SC120016K4S
DESCRIZIONE
SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 1200 V 107A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247-4
PRODUTTORE
Qorvo
INIZIATIVA STANDARD
44 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
30
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Qorvo
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
107A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 50A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
218 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7824 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
517W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-4
Package / Case
TO-247-4
Base Product Number
UF3SC120016
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Qorvo UF3SC120016K4S
Documenti e supporti
Datasheets
1(UF3SC120016K4S)
Video File
1(Minimizing EMI and switching loss for SiC FETs)
Environmental Information
()
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev A/T Chgs 4/Jun/2021)
HTML Datasheet
1(UF3SC120016K4S)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 120
Prezzo unitario: $42.25483
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 30
Prezzo unitario: $45.385
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $51.64
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-