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GermanySIZ920DT-T1-GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIZ920DT-T1-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 30V 40A 39W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1260pF @ 15V
Power - Max
39W, 100W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerWDFN
Supplier Device Package
8-PowerPair® (6x5)
Base Product Number
SIZ920
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SIZ920DT-T1-GE3TR
SIZ920DT-T1-GE3DKR
SIZ920DTT1GE3
SIZ920DT-T1-GE3CT
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Vishay Siliconix SIZ920DT-T1-GE3
Documenti e supporti
Datasheets
1(SIZ920DT)
Featured Product
1(PowerPAIR®)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices 15/Sep/2017)
PCN Assembly/Origin
1(Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014)
HTML Datasheet
1(SIZ920DT)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SIZ998DT-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 13,250
Prezzo unitario. : $1.48000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 13,250
Prezzo unitario. : $1.48000
Tipo sostitutivo. : Direct