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GermanySI5411EDU-T1-GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SI5411EDU-T1-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 12 V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 6 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Operating Temperature
-50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® ChipFet Single
Package / Case
PowerPAK® ChipFET™ Single
Base Product Number
SI5411
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SI5411EDU-T1-GE3TR
SI5411EDU-T1-GE3CT
SI5411EDU-T1-GE3DKR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI5411EDU-T1-GE3
Documenti e supporti
Datasheets
1(SI5411EDU)
Featured Product
1(12 V and 20 V P-Channel Gen III MOSFETs)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Devs Assembly Location 31/Jan/2023)
HTML Datasheet
1(SI5411EDU)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SI5419DU-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 16,890
Prezzo unitario. : $4.88000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 16,890
Prezzo unitario. : $4.88000
Tipo sostitutivo. : Similar