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GermanyIRFS820B
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFS820B
DESCRIZIONE
N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 500 V 2.5A (Tj) 33W (Tc) Through Hole TO-220F-3
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
IRFS820B Models
PACCHETTO STANDARD
1,567
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.5A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
610 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
33W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F-3
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-IRFS820B
FAIFSCIRFS820B
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor IRFS820B
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
EDA Models
1(IRFS820B Models)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 1567
Prezzo unitario: $0.19
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1567
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1567
Sostituti
-