IXT-1-1N100S1

Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE

IXT-1-1N100S1

DESCRIZIONE

MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

DESCRIZIONE DETTAGLIATA

N-Channel 1000 V 1.5A (Tc)

PRODUTTORE

IXYS

INIZIATIVA STANDARD

MODELLO EDACAD

PACCHETTO STANDARD

STOCK FORNITORI

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Specifiche tecniche

Mfr

IXYS

Series

-

Package

Tube

Product Status

Active

FET Type

N-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

1.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs(th) (Max) @ Id

-

FET Feature

-

Power Dissipation (Max)

-

Operating Temperature

-

Mounting Type

-

Supplier Device Package

-

Package / Case

-

Base Product Number

IXT-1

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

California Prop 65

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXT-1-1N100S1

Documenti e supporti

Environmental Information

1(Ixys IC REACH)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

-

637V2706C3T FI4D096RK XQDAWT-02-0000-00000BFE7 NBSG72AMNR2 MTMM-120-12-G-D-425-020

IXT-1-1N100S1

Panoramica del numero di parte

Specifiche tecniche

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altri nomi

Categoria

Documenti e supporti

Quantità Prezzo

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