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Germany2SB1167S
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SB1167S
DESCRIZIONE
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 130MHz 1.2 W Through Hole TO-126LP
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
987
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 5V
Power - Max
1.2 W
Frequency - Transition
130MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package
TO-126LP
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Altri nomi
2156-2SB1167S
ONSONS2SB1167S
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 2SB1167S
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 987
Prezzo unitario: $0.3
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 987
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 987
Sostituti
-