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GermanyNTP8G206NG
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NTP8G206NG
DESCRIZIONE
GANFET N-CH 600V 17A TO220-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 17A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
NTP8G206NG Models
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 480 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
96W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
NTP8G2
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
ONSONSNTP8G206NG
NTP8G206NGOS
2156-NTP8G206NG-ON
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTP8G206NG
Documenti e supporti
Datasheets
1(NTP8G206N)
Video File
1(GaN Transistors (Gallium Nitride))
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
Featured Product
1(Compact Power Solutions)
PCN Obsolescence/ EOL
()
HTML Datasheet
1(NTP8G206N)
EDA Models
1(NTP8G206NG Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SIHP22N60E-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $3.88000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $3.88000
Tipo sostitutivo. : Similar