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Germany2SD655ETZ-E
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SD655ETZ-E
DESCRIZIONE
0.7A, 15V, NPN
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 15 V 700 mA 250MHz 500 mW Through Hole TO-92
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,245
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
15 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
400 @ 150mA, 1V
Power - Max
500 mW
Frequency - Transition
250MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package
TO-92
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Altri nomi
2156-2SD655ETZ-E
RENRNS2SD655ETZ-E
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Renesas Electronics Corporation 2SD655ETZ-E
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 3245
Prezzo unitario: $0.09
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 3245
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 3245
Sostituti
-