English
Spain
Rusia
China
GermanyNTD3055L170G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NTD3055L170G
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 60 V 9A (Ta) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) Surface Mount DPAK
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 4.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
275 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK
Package / Case
-
Base Product Number
NTD30
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTD3055L170G
Documenti e supporti
Datasheets
1(NTD3055L170)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 21/Jan/2010)
HTML Datasheet
1(NTD3055L170)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-