Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BDV65BG
DESCRIZIONE
TRANS NPN DARL 100V 10A TO247-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A 125 W Through Hole TO-247-3
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
30

Specifiche tecniche

Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 5A, 4V
Power - Max
125 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247-3
Base Product Number
BDV65

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

BDV65BGOS
2832-BDV65BG
BDV65BG-ND

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi BDV65BG

Documenti e supporti

Datasheets
1(BDV64,65B)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 08/Jul/2021)
PCN Packaging
1(TO-218 to TO-247 09/Mar/2012)
HTML Datasheet
1(BDV64,65B)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : TIP142G
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $2.05000
Tipo sostitutivo. : Direct
Parte n. : TIP142
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $2.31000
Tipo sostitutivo. : Direct