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GermanyIPB70N04S3-07
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPB70N04S3-07
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 40 V 80A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
79W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IPB70N
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP000279556
IPB70N04S3-07-ND
IPB70N04S3-07CT
IPB70N04S3-07TR
IPB70N04S307
IPB70N04S3-07DKR
IPB70N04S307ATMA1
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPB70N04S3-07
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Quantità Prezzo
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