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GermanyIPD60R600CPATMA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPD60R600CPATMA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 6.1A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CP
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 220µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
60W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD60R
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD60R600CPATMA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(IPD60R600CP)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
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Prezzo unitario. : $2.87000
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Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.83016
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Quantità disponibile. : 5
Prezzo unitario. : $2.87000
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