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GermanyIRF6717MTR1PBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRF6717MTR1PBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 25 V 38A (Ta), 200A (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
38A (Ta), 200A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.25mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6750 pF @ 13 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 96W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MX
Package / Case
DirectFET™ Isometric MX
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
IRF6717MTR1PBFCT
IRF6717MTR1PBFTR
SP001527004
IRF6717MTR1PBFDKR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6717MTR1PBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRF6717M(TR)PBF)
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()
Featured Product
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HTML Datasheet
1(IRF6717M(TR)PBF)
Product Drawings
1(IR Hexfet Circuit)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IRF6717MTRPBF
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 8,674
Prezzo unitario. : $2.79000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Quantità disponibile. : 8,674
Prezzo unitario. : $2.79000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent