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GermanyIRFR812PBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFR812PBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 500 V 3.6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
75
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
810 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
78W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA (DPAK)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFR812PBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRFR812TRPbF)
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1(Barcode Label Update 24/Feb/2017)
HTML Datasheet
1(IRFR812TRPbF)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : RJK4532DPD-00#J2
Produttore. : Renesas Electronics Corporation
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