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GermanyTK8A10K3,S5Q
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
TK8A10K3,S5Q
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 8A (Ta) 18W (Tc) Through Hole TO-220SIS
PRODUTTORE
Toshiba Semiconductor and Storage
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
U-MOSIV
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
18W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220SIS
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
TK8A10
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
TK8A10K3S5QM
TK8A10K3,S5Q,M
TK8A10K3S5Q
TK8A10K3S5QM-ND
TK8A10K3,S5Q(M
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Toshiba Semiconductor and Storage TK8A10K3,S5Q
Documenti e supporti
Datasheets
1(TK8A10K3 Datasheet)
Featured Product
1(Server Solutions)
PCN Obsolescence/ EOL
1(DK OBS NOTICE)
HTML Datasheet
1(TK8A10K3 Datasheet)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : TK22A10N1,S4X
Produttore. : Toshiba Semiconductor and Storage
Quantità disponibile. : 29
Prezzo unitario. : $1.36000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 29
Prezzo unitario. : $1.36000
Tipo sostitutivo. : Direct
Parte n. : AOTF296L
Produttore. : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Quantità disponibile. : 757
Prezzo unitario. : $1.91000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 757
Prezzo unitario. : $1.91000
Tipo sostitutivo. : Similar