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GermanyIRFD210
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFD210
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 200 V 600mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
IRFD210 Models
PACCHETTO STANDARD
2,500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
600mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 360mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
4-HVMDIP
Package / Case
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Base Product Number
IRFD210
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFD210
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRFD210)
HTML Datasheet
1(IRFD210)
EDA Models
1(IRFD210 Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IRFD210PBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 13,631
Prezzo unitario. : $1.33000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 13,631
Prezzo unitario. : $1.33000
Tipo sostitutivo. : Direct