Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BUT12AI,127
DESCRIZIONE
TRANS NPN 450V 8A TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 8 A 110 W Through Hole TO-220AB
PRODUTTORE
NXP USA Inc.
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
5,000

Specifiche tecniche

Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
450 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 860mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
14 @ 1A, 5V
Power - Max
110 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Base Product Number
BUT12

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

934050220127
BUT12AI
BUT12AI-ND

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/NXP USA Inc. BUT12AI,127

Documenti e supporti

Datasheets
1(BUT12AI)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 30/Jun/2009)
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML Datasheet
1(BUT12AI)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : MJE18008G
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 2,902
Prezzo unitario. : $2.33000
Tipo sostitutivo. : Direct
Parte n. : BUL58D
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $1.37000
Tipo sostitutivo. : Similar