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GermanyNDD60N745U1-35G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NDD60N745U1-35G
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 6.6A (Tc) 84W (Tc) Through Hole I-PAK
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
75
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
745mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
84W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
NDD60
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-NDD60N745U1-35G-ON
ONSONSNDD60N745U1-35G
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NDD60N745U1-35G
Documenti e supporti
Datasheets
1(NDD60N745U1)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices 01/Sep/2017)
PCN Design/Specification
1(NDD60NYYY 25/Jan/2017)
HTML Datasheet
1(NDD60N745U1)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : FCU900N60Z
Produttore. : Rochester Electronics, LLC
Quantità disponibile. : 110,978
Prezzo unitario. : $0.79000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 110,978
Prezzo unitario. : $0.79000
Tipo sostitutivo. : Similar