Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
RFP3055
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 60V 12A TO220-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 60 V 12A (Tc) 53W (Tc) Through Hole TO-220-3
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
RFP3055 Models
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
300 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
53W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
RFP30

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi RFP3055

Documenti e supporti

Datasheets
1(RFD3055/SM, RFP3055)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
()
EDA Models
1(RFP3055 Models)
Product Drawings
1(TO220B03 Pkg Drawing)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IRLZ14PBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 3,079
Prezzo unitario. : $1.07000
Tipo sostitutivo. : Similar