English
Spain
Rusia
China
GermanyRN2962FE(TE85L,F)
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
RN2962FE(TE85L,F)
DESCRIZIONE
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
PRODUTTORE
Toshiba Semiconductor and Storage
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
4,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
1kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
200MHz
Power - Max
100mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package
ES6
Base Product Number
RN2962
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Altri nomi
RN2962FE(TE85LF)TR
RN2962FE(TE85LF)DKR
RN2962FE(TE85LF)CT
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased/Toshiba Semiconductor and Storage RN2962FE(TE85L,F)
Documenti e supporti
-
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : PEMB11,115
Produttore. : Nexperia USA Inc.
Quantità disponibile. : 8,520
Prezzo unitario. : $0.45000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 8,520
Prezzo unitario. : $0.45000
Tipo sostitutivo. : Similar