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GermanySTE180NE10
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
STE180NE10
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 180A (Tc) 360W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
PRODUTTORE
STMicroelectronics
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
10
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
STMicroelectronics
Series
STripFET™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
795 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
21000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
360W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
ISOTOP®
Package / Case
ISOTOP
Base Product Number
STE1
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
497-3166-5
497-3166-5-NDR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STE180NE10
Documenti e supporti
Datasheets
1(STE180NE10)
Video File
1(Motor Control in Electric Vehicles)
HTML Datasheet
1(STE180NE10)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IXFN180N10
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar