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GermanySIHG11N80E-GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIHG11N80E-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 800 V 12A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
28 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
440mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1670 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
179W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SIHG11
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHG11N80E-GE3
Documenti e supporti
Datasheets
1(SIHG11N80E)
PCN Assembly/Origin
1(Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020)
PCN Packaging
1(Packing Tube Design 19/Sep/2019)
HTML Datasheet
1(SIHG11N80E)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 500
Prezzo unitario: $2.38198
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 500
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 500
Sostituti
Parte n. : IXFH14N60P
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 24
Prezzo unitario. : $5.86000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 24
Prezzo unitario. : $5.86000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : IXFH16N80P
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 265
Prezzo unitario. : $8.95000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 265
Prezzo unitario. : $8.95000
Tipo sostitutivo. : Similar