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GermanyDD1200S12H4HOSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
DD1200S12H4HOSA1
DESCRIZIONE
IGBT MODULE 1200V 1200A
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT Module 2 Independent 1200 V 1200 A 1200000 W Chassis Mount Module
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
26 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
IHM-B
Package
Tray
Product Status
Active
IGBT Type
-
Configuration
2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
1200 A
Power - Max
1200000 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.35V @ 15V, 1200A
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
DD1200
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
DD1200S12H4HOSA1-ND
SP001172132
448-DD1200S12H4HOSA1
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies DD1200S12H4HOSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(DD1200S12H4)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $629.723
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 2
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 2
QUANTITÀ: 2
Prezzo unitario: $654.32
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 2
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 2
Sostituti
-