IRF510L

Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE

IRF510L

DESCRIZIONE

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3

DESCRIZIONE DETTAGLIATA

N-Channel 100 V 5.6A (Tc) Through Hole TO-262-3

PRODUTTORE

Vishay Siliconix

INIZIATIVA STANDARD

MODELLO EDACAD

PACCHETTO STANDARD

50

STOCK FORNITORI

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Specifiche tecniche

Mfr

Vishay Siliconix

Series

-

Package

Tube

Product Status

Obsolete

FET Type

N-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

5.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

180 pF @ 25 V

FET Feature

-

Power Dissipation (Max)

-

Operating Temperature

-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Supplier Device Package

TO-262-3

Package / Case

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Base Product Number

IRF510

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status

RoHS non-compliant

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRF510L

Documenti e supporti

-

Quantità Prezzo

-

Sostituti

-

SDE0403A-2R2M CX10S-HGACAC-P-A-DK00000 DW-46-20-F-D-900 MC10H107P TMM-105-05-S-S-SM

IRF510L

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