Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FCU4300N80Z
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 800V 1.6A I-PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 800 V 1.6A (Tc) 27.8W (Tc) Through Hole IPAK
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
FCU4300N80Z Models
PACCHETTO STANDARD
502

Specifiche tecniche

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
SuperFET® II
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 160µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
355 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
27.8W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA

Classificazioni ambientali e di esportazione

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001

Altri nomi

FAIFSCFCU4300N80Z
2156-FCU4300N80Z

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FCU4300N80Z

Documenti e supporti

Datasheets
1(FCU4300N80Z Datasheet)
EDA Models
1(FCU4300N80Z Models)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 502
Prezzo unitario: $0.6
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 502

Sostituti

-