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GermanyBSM25GD120DN2BOSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSM25GD120DN2BOSA1
DESCRIZIONE
IGBT MOD 1200V 35A 200W
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT Module Full Bridge 1200 V 35 A 200 W Chassis Mount Module
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
10
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
35 A
Power - Max
200 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 25A
Current - Collector Cutoff (Max)
800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
1.65 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
BSM25GD120
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP000100370
BSM25GD120DN2
2156-BSM25GD120DN2BOSA1-448
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies BSM25GD120DN2BOSA1
Documenti e supporti
-
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : MWI25-12A7
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar