Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQA8N90C
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 900V 8A TO3P
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 900 V 8A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
FQA8N90C Models
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2080 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
240W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Base Product Number
FQA8

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQA8N90C

Documenti e supporti

Datasheets
1(FQA8N90C)
Environmental Information
()
EDA Models
1(FQA8N90C Models)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : FQA8N90C-F109
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 179
Prezzo unitario. : $3.40000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Parte n. : 2SK1342-E
Produttore. : Renesas Electronics Corporation
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : STW7NK90Z
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 90
Prezzo unitario. : $4.08000
Tipo sostitutivo. : Similar