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GermanyIPI60R299CPXKSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPI60R299CPXKSA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
96W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IPI60R
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-IPI60R299CPXKSA1-IT
IFEINFIPI60R299CPXKSA1
IPI60R299CP-ND
IPI60R299CPXK
IPI60R299CPX
IPI60R299CP
SP000103249
IPI60R299CPAKSA1
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPI60R299CPXKSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(IPI60R299CP)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPI60R299CP)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : STI24N60M2
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 1,180
Prezzo unitario. : $2.65000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 1,180
Prezzo unitario. : $2.65000
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