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GermanyDF80R12W2H3B11BOMA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
DF80R12W2H3B11BOMA1
DESCRIZIONE
IGBT MODULE
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT Module Dual Boost Chopper 1200 V 50 A 190 W Chassis Mount
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
8
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
IGBT Type
-
Configuration
Dual Boost Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Power - Max
190 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 20A
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
2.35 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
-
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
INFINFDF80R12W2H3B11BOMA1
2156-DF80R12W2H3B11BOMA1
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies DF80R12W2H3B11BOMA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 8
Prezzo unitario: $37.81
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 8
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 8
Sostituti
-