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Spain
Rusia
China
Germany2SC3256R
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SC3256R
DESCRIZIONE
NPN SILICON TRANSISTOR
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 100MHz 80 W Through Hole TO-3PB
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
232
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 375mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 2V
Power - Max
80 W
Frequency - Transition
100MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package
TO-3PB
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Altri nomi
ONSONS2SC3256R
2156-2SC3256R
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 2SC3256R
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 231
Prezzo unitario: $1.3
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 231
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 231
Sostituti
-