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Germany2SC3361-6-TB-E
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SC3361-6-TB-E
DESCRIZIONE
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 100MHz 150 mW Surface Mount 3-CP
PRODUTTORE
Sanyo
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,567
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Sanyo
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 6V
Power - Max
150 mW
Frequency - Transition
100MHz
Operating Temperature
125°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
3-CP
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
HTSUS
0000.00.0000
Altri nomi
2156-2SC3361-6-TB-E
ONSSNY2SC3361-6-TB-E
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Sanyo 2SC3361-6-TB-E
Documenti e supporti
-
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 1567
Prezzo unitario: $0.19
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1567
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1567
Sostituti
-