Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFBF30S
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 900 V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IRFBF30

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFBF30S

Documenti e supporti

Datasheets
1(SiHFBF30S)
HTML Datasheet
1(SiHFBF30S)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IRF540NSTRLPBF
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 18,953
Prezzo unitario. : $1.50000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : STB6NK90ZT4
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $3.07000
Tipo sostitutivo. : Similar