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GermanyIPD50R950CEBTMA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPD50R950CEBTMA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 500 V 4.3A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CE
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
231 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
34W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD50R
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
IPD50R950CEIN
IPD50R950CEINDKR
IPD50R950CEINDKR-ND
IPD50R950CEBTMA1DKR
IPD50R950CEIN-ND
-IPD50R950CE
IPD50R950CEBTMA1TR
IPD50R950CEINTR-ND
IPD50R950CE
IPD50R950CEINCT-ND
IPD50R950CEINTR
SP000992070
IPD50R950CEBTMA1CT
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD50R950CEBTMA1
Documenti e supporti
Datasheets
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HTML Datasheet
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Quantità Prezzo
-
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Prezzo unitario. : $1.37000
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