English
Spain
Rusia
China
GermanyNE5550779A-T1A-A
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NE5550779A-T1A-A
DESCRIZIONE
N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Mosfet 9 V 140 mA 900MHz 22dB 38.5dBm 79A
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
77
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
LDMOS
Configuration
-
Frequency
900MHz
Gain
22dB
Voltage - Test
9 V
Current Rating (Amps)
2.1A
Noise Figure
-
Current - Test
140 mA
Power - Output
38.5dBm
Voltage - Rated
30 V
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
4-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package
79A
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
RENRNSNE5550779A-T1A-A
2156-NE5550779A-T1A-A
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation NE5550779A-T1A-A
Documenti e supporti
Datasheets
1(NE5550779A-T1-A)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 77
Prezzo unitario: $3.91
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 77
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 77
Sostituti
-