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GermanyIRF9Z20
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRF9Z20
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 50 V 9.7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220AB
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
IRF9Z20 Models
PACCHETTO STANDARD
1,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
480 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
40W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IRF9
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRF9Z20
Documenti e supporti
Datasheets
()
HTML Datasheet
1(IRF9Z20, SiHF9Z20)
EDA Models
1(IRF9Z20 Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IRF9Z20PBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 613
Prezzo unitario. : $1.84000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Quantità disponibile. : 613
Prezzo unitario. : $1.84000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Parte n. : IRF9Z24NPBF
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 4,666
Prezzo unitario. : $0.80000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 4,666
Prezzo unitario. : $0.80000
Tipo sostitutivo. : Direct