Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
AOTF2610L
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 60 V 9A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 31W (Tc) Through Hole TO-220F
PRODUTTORE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
INIZIATIVA STANDARD
16 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50

Specifiche tecniche

Mfr
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Ta), 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2007 pF @ 30 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 31W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
AOTF2610

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

5202-AOTF2610L
785-1638-5

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF2610L

Documenti e supporti

Datasheets
1(AOT(F)2610L)
Other Related Documents
1(AOS Green Policy)
Environmental Information
()
PCN Design/Specification
1(Mult Dev Molding Chg 19/Feb/2021)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Assem/Test Chg 19/Jul/2018)
HTML Datasheet
1(AOT(F)2610L)
Product Drawings
1(TO220F Pkg Drawing)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 1000
Prezzo unitario: $0.62388
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1000

Sostituti

Parte n. : TK40A06N1,S4X
Produttore. : Toshiba Semiconductor and Storage
Quantità disponibile. : 480
Prezzo unitario. : $1.19000
Tipo sostitutivo. : Similar