Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPP100N08N3GHKSA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 80 V 70A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
500

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2410 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
100W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IPP100N

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPP100N08N3GHKSA1

Documenti e supporti

Datasheets
1(IPx100N08N3 G, IPB097N08N3 G)
Other Related Documents
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPx100N08N3 G, IPB097N08N3 G)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IPP100N08N3GXKSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 587
Prezzo unitario. : $1.90000
Tipo sostitutivo. : Direct
Parte n. : SUP70090E-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 11
Prezzo unitario. : $2.94000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : SUP85N10-10-E3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 384
Prezzo unitario. : $6.37000
Tipo sostitutivo. : Similar