Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
HUFA76629D3S
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
761

Specifiche tecniche

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
UltraFET™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1285 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252 (DPAK)
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

2156-HUFA76629D3S-FS
FAIFSCHUFA76629D3S

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor HUFA76629D3S

Documenti e supporti

Datasheets
1(HUFA76629D3S)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 761
Prezzo unitario: $0.39
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 761

Sostituti

-