Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
STU6N65K3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 5.4A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
PRODUTTORE
STMicroelectronics
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
STU6N65K3 Models
PACCHETTO STANDARD
75

Specifiche tecniche

Mfr
STMicroelectronics
Series
SuperMESH3™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
880 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-251 (IPAK)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
STU6N65

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-497-13593-5
497-13593-5

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STU6N65K3

Documenti e supporti

Datasheets
1(STx(x)6N65K3)
Product Training Modules
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN Obsolescence/ EOL
1(DK OBS NOTICE)
HTML Datasheet
1(STx(x)6N65K3)
EDA Models
1(STU6N65K3 Models)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : DMJ70H1D3SJ3
Produttore. : Diodes Incorporated
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : IPS65R950C6AKMA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 150
Prezzo unitario. : $1.12000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : IPU80R1K4P7AKMA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 16
Prezzo unitario. : $1.03000
Tipo sostitutivo. : Similar