Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
ALD110914PAL
DESCRIZIONE
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP
PRODUTTORE
Advanced Linear Devices Inc.
INIZIATIVA STANDARD
8 Weeks
MODELLO EDACAD
ALD110914PAL Models
PACCHETTO STANDARD
50

Specifiche tecniche

Mfr
Advanced Linear Devices Inc.
Series
EPAD®
Package
Tube
Product Status
Active
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
10.6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500Ohm @ 5.4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.42V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2.5pF @ 5V
Power - Max
500mW
Operating Temperature
0°C ~ 70°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package
8-PDIP
Base Product Number
ALD110914

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
California Prop 65

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Advanced Linear Devices Inc. ALD110914PAL

Documenti e supporti

Datasheets
1(ALD110814,914)
HTML Datasheet
1(ALD110814,914)
EDA Models
1(ALD110914PAL Models)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 50
Prezzo unitario: $5.3156
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 50

Sostituti

-