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GermanySTB20NM50-1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
STB20NM50-1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 550 V 20A (Tc) 192W (Tc) Through Hole I2PAK
PRODUTTORE
STMicroelectronics
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
STMicroelectronics
Series
MDmesh™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
550 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1480 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
192W (Tc)
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
STB20N
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
497-5382-5
-497-5382-5
1805-STB20NM50-1
STB20NM50-1-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STB20NM50-1
Documenti e supporti
Datasheets
1(STB20NM50(-1), STP20NM50(FP))
Product Training Modules
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
HTML Datasheet
1(STB20NM50(-1), STP20NM50(FP))
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : STP20NM60
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 927
Prezzo unitario. : $6.14000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 927
Prezzo unitario. : $6.14000
Tipo sostitutivo. : Direct