Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FDB8860
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 80A (Tc) 254W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
800

Specifiche tecniche

Mfr
onsemi
Series
PowerTrench®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
214 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
12585 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
254W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
FDB886

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

FDB8860CT
FDB8860DKR
FDB8860TR
2832-FDB8860TR
2156-FDB8860-OS
ONSONSFDB8860

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FDB8860

Documenti e supporti

Datasheets
1(FDB8860)
Video File
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
Environmental Information
()
Featured Product
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 8/Apr/2021)
PCN Design/Specification
()
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Assembly/Material Chgs 15/Mar/2018)
PCN Packaging
()

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $3.29
Imballaggio: Cut Tape (CT)
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

Parte n. : PHB66NQ03LT,118
Produttore. : Nexperia USA Inc.
Quantità disponibile. : 8,543
Prezzo unitario. : $0.44000
Tipo sostitutivo. : Similar