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GermanyFP7G75US60
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FP7G75US60
DESCRIZIONE
IGBT
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT Module Half Bridge 600 V 75 A 310 W Chassis Mount EPM7
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
10
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
Power-SPM™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Power - Max
310 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 75A
Current - Collector Cutoff (Max)
250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
4.515 nF @ 30 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
EPM7
Supplier Device Package
EPM7
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
FAIFSCFP7G75US60
2156-FP7G75US60-FS
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Fairchild Semiconductor FP7G75US60
Documenti e supporti
Datasheets
1(FP7G75US60)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $32.1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 10
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 10
Sostituti
-